| FQD2N100TM | |
|---|---|
| Onderdeel nummer | FQD2N100TM |
| Fabrikant | onsemi |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| hoeveelheid beschikbaar | 40300 pcs new original in stock. Vraag voorraad en offerte aan |
| Datasheets | 1.FQD2N100TM.pdf2.FQD2N100TM.pdf3.FQD2N100TM.pdf4.FQD2N100TM.pdf5.FQD2N100TM.pdf6.FQD2N100TM.pdf7.FQD2N100TM.pdf8.FQD2N100TM.pdf9.FQD2N100TM.pdf |
| FQD2N100TM Price |
Vraag prijs en doorlooptijd online aan or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische informatie van FQD2N100TM | |||
|---|---|---|---|
| Fabrikant Onderdeelnummer | FQD2N100TM | Categorie | Discrete Semiconductor Products |
| Fabrikant | AMI Semiconductor/onsemi | Beschrijving | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| Pakket / koffer | TO-252AA | hoeveelheid beschikbaar | 40300 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Leverancier Device Pakket | TO-252AA |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, VGS | 9Ohm @ 800mA, 10V |
| product status | Active | Vermogensverlies (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpakking / doos | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) | montage Type | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| FET Type | N-Channel | FET Feature | - |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 10V | Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) | Base Productnummer | FQD2N100 |
| Download | FQD2N100TM PDF - EN.pdf | ||
Productmodel
FQD2N100TM
Inleiding
N-kanaal MOSFET met hoge spanning
Merk en Fabrikant
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kenmerken
MOSFET (Metal Oxide) Technologie, N-kanaal FET, Type met oppervlaktemontage
Productprestaties
Betrouwbaarheidsbereik -55°C tot 150°C, Hoge Drain-Source Spanning (Vdss) van 1000V, Continue Drain Stroom (Id) van 1.6A bij 25°C, Lage Gatespanning (Qg) van 15.5nC bij 10V, Anodische Gatespanning van 10V voor optimale Rds On prestaties
Technische specificaties
Maximale Rds On 9 Ohm @ 800mA, 10V, Vgs(th) Maximaal 5V @ 250µA, Invoercapaciteit (Ciss) Maximaal 520pF @ 25V, Maximaal Gatesource Spanning (Vgs) ±30V
Afmetingen, vorm en verpakking
TO-252-3, DPak (2 Leiders + Tab), SC-63 Verpakking, Verpakt in Gesneden Tape (CT), Leveranciersapparaatverpakking D-Pak
Kwaliteit en betrouwbaarheid
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Onbeperkt)
Voordelen van het product
Hoge spanningscapaciteit en duurzaamheid, Efficiënte vermogensafvoer
Concurrentievermogen van het product
Zwerfvrije / RoHS Compliant voor milieuveiligheid, Hoge vermogensafvoercapaciteit van 2.5W (Ta) en 50W (Tc)
Compatibiliteit
Kan worden geïntegreerd met elektronische circuits die een hoge-spannings N-kanaal MOSFET vereisen
Standaardcertificering en naleving
Zwerfvrije Status / RoHS Status
Levensduur en duurzaamheid
Ontworpen om een extreme temperatuurbereik te weerstaan voor lange termijn betrouwbaarheid
Daadwerkelijke toepassingsgebieden
Geschikt voor toepassingen in stroombeheer, omvormers en voedingseenheden
E-mail ons: Info@Ariat-Tech.com of RFQ FQD2N100TM online.
| FQD2N100TM Stock | FQD2N100TM Prijs | FQD2N100TM Electronics | |||
| FQD2N100TM-componenten | FQD2N100TM-inventaris | FQD2N100TM Digikey | |||
| Leverancier FQD2N100TM | Bestel FQD2N100TM online | Vraag FQD2N100TM | |||
| FQD2N100TM afbeelding | FQD2N100TM Afbeelding | FQD2N100TM PDF | |||
| FQD2N100TM Datasheet | Download FQD2N100TM datasheet | Fabrikant AMI Semiconductor/onsemi | |||
| Gerelateerde onderdelen voor FQD2N100TM | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Beeld | Onderdeel nummer | Beschrijving | Fabrikant | Vraag een offerte aan | |
 |
ICL7652BCPA | IC OPAMP CHOPPER/STABLE 8-DIP | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | ||
Nieuws
Meer
Op 19 april 2026 (lokale tijd) onthulden mediaberichten waarin bronnen werden aangehaald die bekend waren met de zaak, dat Google, een dochterondernem...
Volgens *The Business Times* begon TSMC’s CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) proefproductielijn in februari met het leveren van apparatuur aan het R&...
Op 6 april lokale tijd kondigde de Amerikaanse kunstmatige intelligentie (AI)-technologiegigant Anthropic aan dat het een nieuwe overeenkomst heeft ge...
Op 1 april kondigde Microsoft aan dat het 5,5 miljard dollar in Singapore zou investeren om zijn cloud- en kunstmatige intelligentie-infrastructuur (A...
Samsung Electronics zal de eerste zijn die zijn volgende generatie HBM4 exclusief levert aan OpenAI, 's werelds grootste bedrijf op het gebied van kun...
Nieuwe Producten
Meer
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchrone Boost-controller bevat een synchrone boostcontroller en een twee-kanaals monolithische synchrone buck-LED-driv...
Toshiba TB67H453 H-Bridge-stuurprogramma voor één kanaal heeft een stroombewakingsfunctie met spanningsfeedback van de isse-uitgangspen.De absolute ...
STMicro-elektronica STSAFE-A120-authenticatie-IC's zijn zeer veilige geïntegreerde circuits die zijn ontworpen om gevoelige gegevens en apparaten te ...
STMicro-Electronics stsafe-A geoptimaliseerde authenticatie-ICS maakt gebruik van geavanceerde cryptografische algoritmen en belangrijke managementtec...
Diodes opgenomen PI3DPX1235Q 6: 4 Lineaire RedRiver ondersteunt DP-link-training transparant voor bron-side-toepassingen.De PI3DPX1235Q voldoet aan de...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966TOEVOEGEN: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Auteursrechtaanduiding © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rechten voorbehouden.