STMicroelectronics verhoogt de SiC-wafercapaciteit, STMicroelectronics voltooit de overname van Norstel AB
Gisteren (2) kondigde STMicroelectronics aan dat het de algehele acquisitie van de Zweedse siliciumcarbide (SiC) wafelmaker Norstel AB ("Norstel") heeft voltooid. Nadat de eerste transactie in februari 2019 was aangekondigd, heeft STMicroelectronics zijn opties uitgeoefend en de resterende 45% van zijn aandelen verworven. De acquisities van Norstel bedroegen in totaal $ 137,5 miljoen en werden contant betaald.
Het is wel verstaan dat Norstel volledig zal worden geïntegreerd in ST's wereldwijde R & D- en productie-activiteiten, en 150 mm siliciumcarbide matrijzen en epitaxiale waferproductie-activiteiten zal blijven ontwikkelen om 200 mm wafels en een breder scala aan brede bandafstandsmaterialen te ontwikkelen.
Norstel werd in 2005 afgesplitst van Linköping University om 150 mm SiC blote wafels en epitaxiale wafels te ontwikkelen en produceren. ST zei dat nadat de transactie is voltooid, deze een deel van de gehele supply chain van SiC-apparaten zal beheersen en een belangrijke groeimogelijkheid voor zichzelf zal bieden met een beperkte wereldwijde capaciteit.
Er kan worden gezegd dat de acquisitie een andere reactie is van ST onder het tekort aan SiC-wafercapaciteit. Begin dit jaar tekende ST een meerjarige leveringsovereenkomst met Cree. Tijdens de huidige aanzienlijke toename van de vraag naar de markt voor SiC-stroomapparatuur, zal Cree STMicroelectronics US $ 250 miljoen leveren aan Cree's geavanceerde 150 mm SiC blote wafels en epitaxiale wafels. Dit is ook de derde meerjarige leveringsovereenkomst die ST sinds 2018 heeft ondertekend.
In december 2016 werd Norstel overgenomen door Anxin Investment.
Het is wel verstaan dat samengestelde halfgeleiders, als de volgende generatie van belangrijke halfgeleidermaterialen, van groot belang zijn in vele aspecten zoals communicatie, energie, auto-elektronica, enz. De realisatie van samengestelde halfgeleider epitaxiale wafels en chipproductiemogelijkheden zal effectief onafhankelijke controleerbare verbeteren mogelijkheden. SiC wordt erkend als "een materiaal van de toekomst" in de halfgeleiderindustrie en het is een nieuw type halfgeleidermateriaal met een breed ontwikkelingspotentieel in de nieuwe eeuw.
Het is wel verstaan dat Norstel volledig zal worden geïntegreerd in ST's wereldwijde R & D- en productie-activiteiten, en 150 mm siliciumcarbide matrijzen en epitaxiale waferproductie-activiteiten zal blijven ontwikkelen om 200 mm wafels en een breder scala aan brede bandafstandsmaterialen te ontwikkelen.
Norstel werd in 2005 afgesplitst van Linköping University om 150 mm SiC blote wafels en epitaxiale wafels te ontwikkelen en produceren. ST zei dat nadat de transactie is voltooid, deze een deel van de gehele supply chain van SiC-apparaten zal beheersen en een belangrijke groeimogelijkheid voor zichzelf zal bieden met een beperkte wereldwijde capaciteit.
Er kan worden gezegd dat de acquisitie een andere reactie is van ST onder het tekort aan SiC-wafercapaciteit. Begin dit jaar tekende ST een meerjarige leveringsovereenkomst met Cree. Tijdens de huidige aanzienlijke toename van de vraag naar de markt voor SiC-stroomapparatuur, zal Cree STMicroelectronics US $ 250 miljoen leveren aan Cree's geavanceerde 150 mm SiC blote wafels en epitaxiale wafels. Dit is ook de derde meerjarige leveringsovereenkomst die ST sinds 2018 heeft ondertekend.
In december 2016 werd Norstel overgenomen door Anxin Investment.
Het is wel verstaan dat samengestelde halfgeleiders, als de volgende generatie van belangrijke halfgeleidermaterialen, van groot belang zijn in vele aspecten zoals communicatie, energie, auto-elektronica, enz. De realisatie van samengestelde halfgeleider epitaxiale wafels en chipproductiemogelijkheden zal effectief onafhankelijke controleerbare verbeteren mogelijkheden. SiC wordt erkend als "een materiaal van de toekomst" in de halfgeleiderindustrie en het is een nieuw type halfgeleidermateriaal met een breed ontwikkelingspotentieel in de nieuwe eeuw.