AS6C62256-55SINTR SRAM: Pinout, specificaties, timing en alternatieve producten
2026-09-30 743

De AS6C62256-55SINTR is een laag vermogen 256 Kbit SRAM van Alliance Memory. Het biedt een toegangstijd van 55 ns en een 8-bits parallelle interface voor tijdelijke gegevensopslag. Deze gids legt de pinout, elektrische specificaties, lees- en schrijftiming, gegevensretentie, verpakking en mogelijke alternatieven uit.

Catalogus

Figuur 1. AS6C62256-55SINTR 28-Pin SOP Verpakking

AS6C62256-55SINTR Overzicht

De AS6C62256-55SINTR is een 256 Kbit SRAM van Alliance Memory met een 55 ns toegangstijd en een industrieel bedrijfstemperatuur bereik van −40 °C tot +85 °C. Het gebruikt een 28-pin, 330 mil SOP surface-mount verpakking.

De datasheet van Alliance identificeert 55SIN als de 55 ns industriële SOP-versie. Alliance geeft ook AS6C62256-55SIN op als de 55 ns industriële SOP bestellingsversie. Een productvermelding voor de volledige AS6C62256-55SINTR bestelcode specificeert tape-and-reel verpakking.

Dien een RFQ in om hoeveelheid, prijs, datumcode, toestand, verpakking en levertijd te bevestigen.

AS6C62256-55SINTR Architectuur en Pinout

De AS6C62256-55SINTR bevat een 32K × 8 geheugengebied. Adresinvoeren A0–A14 gaan door de adresdecodering om een van de 32.768 locaties te selecteren. Tijdens een lezing reist het geselecteerde 8-bits woord door de kolom I/O en gegevenscircuits naar DQ0–DQ7. Tijdens een schrijfactie volgt de data hetzelfde pad naar de geselecteerde locatie.

De besturingscircuits gebruiken CE# om de chip te selecteren, WE# om te schrijven te regelen, en OE# om de uitvoer tijdens een lezing in te schakelen. De # geeft een actieve lage signaal aan. VCC is de voedingspin en VSS is de aarde.

Bedrijfsmodus	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
Slaapstand	H	X	X	Hoge impedantie
Uitgang Uitgeschakeld	L	H	H	Hoge impedantie
Lezen	L	L	H	Gegevensuitvoer
Schrijven	L	X	L	Gegevensinvoer

H betekent hoog, L betekent laag, en X betekent elke staat. De bedrijfsmodi volgen de waarheidsgetrouwe tabel van Alliance Memory.

Figuur 2. Vereenvoudigd Functioneel Blokdiagram van de AS6C62256-55SINTR SRAM, Herteken van de Alliance Memory Datasheet

Pin	Signaal	Pin	Signaal
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

Figuur 3. AS6C62256-55SINTR 28-Pin SOP Pinout (Bovenaanzicht)

Gebruik het PDIP/SOP pin-diagram voor het 28-pin SOP pakket van dit onderdeel. De sTSOP-versie heeft een andere pinindeling.

AS6C62256-55SINTR Kenmerken en Elektrische Specificaties

De AS6C62256-55SINTR werkt zonder verversing en biedt TTL-compatibele ingangen en uitgangen. De drie-toestand uitgangen maken het mogelijk om de databus te delen wanneer de chip niet geselecteerd is. De tabellen hieronder tonen specificaties voor de industriële temperatuur, 28-pin SOP variant. Een streepje betekent dat er geen waarde is opgegeven.

Algemene specificaties

Parameter	AS6C62256-55SINTR Specificatie
Geheugenorganisatie	32.768 × 8 bits (256 Kbit)
Werksnelheid spanning, VCC	2.7 tot 5.5 V
Toegangstijd	55 ns maximum
Werktemperatuur, TA	−40 tot +85 °C
Pakket	28-pin, 330 mil SOP
Verzendformaat	Tape en reel
Naleving	RoHS compliant

Absolute Maximale Waarden

Parameter	Symbool	Waarde
Terminaal spanning ten opzichte van VSS	VTERM	−0.5 tot +7.0 V
Werktemperatuur, industriële kwaliteit	TA	−40 tot +85 °C
Opslagtemperatuur	TSTG	−65 tot +150 °C
Vermogensafvoer	PD	1 W
DC uitgangsstroom	IOUT	50 mA
Soldeertemperatuur	TSOLDER	260 °C voor minder dan 10 seconden

Absolute maximale waarden zijn streslimieten, geen werkcondities. Alliance Memory vermeldt de industriële temperatuurbereik in deze tabel en identificeert AS6C62256-55SIN als de industriële SOP variant in zijn bestelinformatie.

DC Elektrische Kenmerken

Parameter	Symbool	Testconditie	Min.	Typ.	Max.
Ingang hoogspanning	VIH	Normale werking	2.4 V	—	VCC + 0.5 V
Ingang laagspanning	VIL	Normale werking	−0.5 V	—	0.6 V
Ingang lekstroom	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Uitgang lekstroom	ILO	Uitgang uitgeschakeld; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Uitgang hoogspanning	VOH	IOH = −1 mA	2.4 V	3.0 V	—
Uitgang laagspanning	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0.4 V
Werksnelheid stroom	ICC	Minimale cyclus tijd; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
Werksnelheid stroom	ICC1	1 µs cyclus; CE# ≤ 0.2 V; I/O = 0 mA; andere pinnen op 0.2 V of VCC − 0.2 V	—	3 mA	10 mA
Standby stroom	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
Industriële standby stroom	ISB1	CE# ≥ VCC − 0.2 V; andere pinnen op 0.2 V of VCC − 0.2 V	—	1 µA	30 µA

De datasheet staat VIH tot VCC + 3.0 V en VIL tot VSS − 3.0 V alleen toe voor pulsen korter dan 10 ns. Dit zijn gekarakteriseerde overshoot en undershoot condities, geen normale DC werkgrenzen. In het bijzonder stellen ze niet vast dat een continue 5 V invoer acceptabel is wanneer VCC 3.3 V is. Typische waarden zijn ter referentie en zijn geen gegarandeerde limieten. De ISB1 waarde is alleen van toepassing onder de genoemde standby testcondities.

Capaciteit en AC Testcondities

Parameter	Voorwaarde	Waarde
Ingangs capaciteit, CIN	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	6 pF maximum
Ingang/uitgang capaciteit, CI/O	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	8 pF maximum
Ingangspulsniveaus	AC timing tests	0.2 V tot VCC − 0.2 V
Ingang stijgtijden en dalen tijden	AC timing tests	3 ns
Ingang en uitgang timing referentie	AC timing tests	1.5 V
Uitgangsbelasting	AC-timingtests	CL = 50 pF + 1 TTL belasting; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

De capaciteitlimieten worden gegarandeerd door apparaatscharacterisatie maar worden niet in productie getest.

AS6C62256-55SINTR Lezen en Schrijven Timing

De AS6C62256-55SINTR ondersteunt adresgestuurd lezen en lezen gestuurd door CE# en OE#. Een schrijfopdracht kan eindigen wanneer WE# of CE# omhoog gaat. De tabellen geven de timinglimieten voor de 55 ns versie.

Leescycli

Figuur 4. AS6C62256-55SINTR Leescylustiminggolfvormen

Leescyclus 1, adresgestuurd: Houd CE# en OE# laag en WE# hoog. Een verandering op A0–A14 selecteert de volgende geheugenslocatie. De oude output blijft kort geldig nadat het adres verandert, daarna presenteren DQ0–DQ7 gegevens van de nieuwe locatie.

Leescyclus 2, CE# en OE# gestuurd: Met WE# hoog en het adres stabiel, verlaag CE# om de chip te selecteren en OE# om de uitvoer in te schakelen. Gegevens worden geldig na de toepasselijke adres-, chip-enable- en output-enablevertragingen zijn verstreken. Het verhogen van CE# of OE# brengt de uitgangen terug naar hoge impedantie.

Parameter	Symbool	Min.	Max.
Leescylustijd	tRC	55 ns	—
Adres-toegangs tijd	tAA	—	55 ns
Chip-enable toegang tijd	tACE	—	55 ns
Output-enable toegang tijd	tOE	—	30 ns
Chip inschakelen naar output in Low-Z	tCLZ*	10 ns	—
Output inschakelen naar output in Low-Z	tOLZ*	5 ns	—
Chip uitschakelen naar output in High-Z	tCHZ*	—	20 ns
Output uitschakelen naar output in High-Z	tOHZ*	—	20 ns
Output vasthouden na adreswijziging	tOH	10 ns	—

Schrijfcylci

Figuur 5. AS6C62256-55SINTR Schrijfcylustiminggolfvormen

Schrijfcylus 1, WE# gestuurd: Houd CE# laag, presenteer een geldig adres en pulseer WE# laag. Plaats invoergegevens op DQ0–DQ7 voordat WE# omhoog gaat. Die oplopende rand beëindigt de schrijfopdracht.

Schrijfcylus 2, CE# gestuurd: Houd WE# laag en pulseer CE# laag terwijl het adres en de invoergegevens geldig zijn. De oplopende rand van CE# beëindigt de schrijfopdracht. In beide cycli moet men rekening houden met de output-uitschakelvertraging voordat een extern apparaat gegevens op de gedeelde DQ-bus aanstuurt.

Parameter	Symbool	Min.	Max.
Schrijfcylustijd	tWC	55 ns	—
Adres geldig tot einde van schrijfopdracht	tAW	50 ns	—
Chip inschakelen tot einde van schrijfopdracht	tCW	50 ns	—
Adres invoertijd	tAS	0 ns	—
Schrijfpulslengte	tWP	45 ns	—
Schrijfherstel tijd	tWR	0 ns	—
Gegevens-tot-schrijf tijd overlap	tDW	25 ns	—
Gegevens vasthouden na einde van schrijfopdracht	tDH	0 ns	—
Output actief na einde van schrijfopdracht	tOW*	5 ns	—
Schrijven naar output in High-Z	tWHZ*	—	20 ns

De datasheet specificeert CL = 5 pF voor tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW, en tWHZ. Hun toepasselijke High-Z en Low-Z overgangen worden gemeten ±500 mV van het steady-state outputniveau. Pas de algemene 50 pF + 1 TTL belastingvoorwaarde niet toe op deze zes parameters. De gemarkeerde parameters worden gegarandeerd door apparaatscharacterisatie maar zijn niet in productie getest.

AS6C62256-55SINTR Gegevensbehoud

Figuur 6. Vereenvoudigd AS6C62256 Gegevensbehoudgolfvorm, opnieuw getekend vanuit de Alliance Memory Datasheet

Voordat VCC onder de normale 2.7 V minimum bedrijfsspanning valt, breng CE# hoog. Tijdens gegevensbehoud, houd VCC op of boven 1.5 V en CE# ≥ VCC − 0.2 V.

Parameter	Symbool	Testvoorwaarden	Min.	Typ.	Max.
Gegevensbehoud voeding spanning	VDR	CE# ≥ VCC − 0.2 V	1.5 V	—	5.5 V
Gegevensbehoud stroom	IDR	VCC = 2.0 V; CE# ≥ VCC − 0.2 V	—	0.5 µA	20 µA
Chip-uitschakelen naar gegevensbehoud tijd	tCDR	Voordat VCC onder de bedrijfsrange valt	0 ns	—	—
Hersteltijd	tR	Nadat VCC terugkeert naar de bedrijfsrange	tRC	—	—

Zodra VCC terugkeert naar de normale 2.7 V tot 5.5 V bedrijfsrange, wacht ten minste één leescylus (tRC = 55 ns) voordat de geheugentoegang wordt gedaan.

AS6C62256-55SINTR Pakket Afmetingen en CAD Modellen

28-Pin SOP Pakket Omrisschema

Figuur 7. AS6C62256 28-Pin, 330 mil SOP Pakket Omrisschema

De AS6C62256-55SINTR gebruikt het 28-pin, 330 mil SOP pakket. De pakkettekening toont het apparaat van bovenaf. Geselecteerde pakketafmetingen zijn hieronder weergegeven. Raadpleeg de pakkettekening van Alliance Memory voor de complete afmetingen en toleranties.

Teken symbool	Afmeting
A	3.048 mm maximaal
A1	0.05 mm minimaal
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm typisch
D	18.491 mm maximaal
E	8.636 mm maximaal
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm typisch

Gebruik deze afmetingen samen met de tekening van de fabrikant bij het controleren van de PCB-footprint en assemblagevrijgave.

Schematisch Symbool, PCB Footprint, en 3D Model

Figuur 8. AS6C62256-55SINTR Schematisch Symbool, 28-Pin SOP PCB Footprint, en 3D Pakketmodel

AS6C62256-55SINTR Toepassingen

Alliance Memory identificeert laagvermogen en batterij-backupgeheugen als toepassingen voor de AS6C62256. De onderstaande toepassingen zijn praktische ontwerpexemplaren. Geschiktheid hangt af van de voedingsspanning van het systeem, parallelle interface, geheugencapaciteit en timingvereisten.

• Industriële controllers: Een industriële controller kan het SRAM gebruiken voor tijdelijke metingen of bedieningsgegevens. Met een geschikte back-up voeding kan het gegevens behouden tijdens een stroomonderbreking.

• Ingebedde systemen: Biedt 32 KB werkgeheugen aan een compatibele controller.

• Draagbare instrumenten: Houdt metingen en tijdelijke gegevens vast in batterijgevoede apparatuur.

• Gegevensregistratieapparatuur: Buffert metingen voor verwerking of overdracht.

• Communicatieapparatuur: Houdt tijdelijke gegevens of configuratiewaarden vast in een compatibel ontwerp.

AS6C62256-55SINTR Alternatieven en Compatibiliteitscontroles

De huidige kruisverwijzing van Alliance Memory geeft AS6C62256-55SINTR aan als vervanging voor CY62256NLL-55SNXIT. Die vermelding beschrijft een vervanging van het Cypress-onderdeel naar het Alliance-onderdeel. Het bevestigt niet dat het Cypress-onderdeel ook in de omgekeerde richting werkt. Behandel het als een engineering kandidaat die verificatie vereist voordat het gebruikt wordt om een geïnstalleerde AS6C62256-55SINTR te vervangen.

Kandidaat	Fabrikant kruisverwijzing relatie	Controleer vóór omgekeerde vervangingen
CY62256NLL-55SNXIT	De huidige kruisverwijzing van Alliance toont deze Cypress bestelcode aan AS6C62256-55SINTR.	Vergelijk voedingsspanning, pinout, SOP footprint, 55 ns timing, temperatuurbereik en data-retentie limieten.

Vergelijk vóór het vervangen van een ander apparaat de volledige bestelcodes, pinverbindingen, PCB-footprint, voedingsspanning, lees- en schrijftiming, operationele temperatuur en data-retentie-eisen.

Wanneer de AS6C62256-55SINTR te kiezen

Kies de AS6C62256-55SINTR wanneer uw ontwerp 32K × 8 asynchrone SRAM nodig heeft met een toegangstijd van 55 ns, een voedingsbereik van 2.7–5.5 V, −40 °C tot +85 °C voor industriële werking, en een 28-pin, 330 mil SOP footprint. Het is ook een kandidaat voor het onderhouden van een bord dat al dit exacte pakket en pinout gebruikt.

Kies een ander geheugenapparaat als uw systeem een seriële interface, aanzienlijk meer capaciteit of een andere PCB-footprint nodig heeft. De AS6C62256-55SINTR is vluchtig: als gegevens moeten overleven wanneer de hoofdzakelijke stroom uitvalt, moet uw ontwerp een geschikte retentievoeding handhaven.

Technische Referenties

• Alliance Memory, AS6C62256 Datasheet, revisie 1.2, 23 maart 2016.

• Alliance Memory, Cypress Semiconductor CY62256 Vervanging.

• Alliance Memory, Gemakkelijk Beschikbare Drop-In Vervangingen voor CY62256 Laagvermogen SRAM's, 2 augustus 2018.